近日，高盛分析师预测，2026 年 HBM 的价格或将下跌 10%。
HBM 的定价权将从制造商转移到以英伟达为代表的客户手中。这意味着 SK 海力士垄断 80%-90% 英伟达订单的局面将不复存在。
这是 SK 海力士在今年被泼的第一盆冷水。
价格下跌的核心原因是"供过于求"。
高盛表示，随着三星、SK 海力士、美光等巨头加速扩产，HBM 供应量将大幅超过需求，直接压低平均销售价格（ASP）。数据显示，高盛已将 2026 年 HBM 总目标市场（TAM）预测下调 13%，从 510 亿美元降至 450 亿美元，同时将增长预期从 45% 大幅下调至 25%。
关于 HBM 即将供应过剩的传闻，这已经不是第一次。去年 9 月，法国巴黎银行旗下证券部门 Exane BNP Paribas 就曾表示预计在 2025 年底前，HBM 产能将大幅超出需求，这将进一步打压价格。
那么此次预测是否空穴来风？明年 HBM 市场是否会迎来价格的急转直下？
在回答这些问题之前，要先来看一看市场的 HBM 产能究竟有多少？以及市场需要多少的 HBM？
HBM，水深火热
众所周知，在 HBM 市场，主要有三大供应商，分别为 SK 海力士、三星和美光。
从 2026 年 HBM 的产量来看，据分析师透露：
SK 海力士已将 2025 年底月产能目标从 6.5 万片上调至 15 万片，并计划 2026 年进一步扩建。
三星 2025 年底 HBM 月产能预计达 15 万片晶圆，虽较此前计划下调，但仍在加速向博通、AWS 等客户供应 HBM3E 产品，2026 年出货量或年增 20%；
美光 2026 年底月产能预计达 9 万片，同时在美国加码 2000 亿美元投资，涵盖 HBM 封装设施。
也就是说，单单是 SK 海力士与三星这两家公司在 2025 年底的 HBM 月产能就达到 30 万片，而此前 Exane BNP Paribas 预测同时期的 HBM 月需求仅仅为 16.8 万片。不过，仅仅是来自市场的一则数据并无法证实 HBM 市场将会迎来供过于求。
因为，随着亚马逊、Meta 和谷歌等公司运营的 AI 模型专用定制半导体需求激增，ASIC 市场也迎来了快速增长。
三星电子、SK 海力士和美光公司正在扩大面向 ASIC 设计公司的 HBM 产品供应。上个月，美光公司在其业绩发布会上提到，除了英伟达和 AMD 之外，ASIC 平台公司也是 HBM 批量出货的四大主要客户。
而来自 ASIC 的市场需求数据，并未全面被考虑在内。因此，难以准确预测明年的 HBM 市场供需格局。
不过，半导体是一个周期性很强的产业，在"需求爆发、缺货涨价、投资扩产"的上升周期之后，往往跟随的就是"需求萎缩、产能过剩、价格下跌"的衰退周期。HBM 作为半导体行业的重要品类，恐怕也难以脱离这一周期，因此需求过剩的概率仍有较大可能发生。
退一步讲，倘若 2026 年的 HBM 市场当真出现供过于求的情况，那么将会集中在哪些 HBM 产品领域，SK 海力士又是否会成为首个受到冲击的企业？
来自 HBM 市场的几则数据，已经指出 HBM 未来的发展方向。
HBM 遇冷之际，谁最先受到冲击？
关于最先受到冲击的公司，笔者认为未必是 SK 海力士。
根据 TrendForce 的数据，SK 海力士目前在 HBM 市场的占有率约为 50%，远超三星电子（30%）和美光（20%）。
若仅看最新的 HBM3E 产品，SK 海力士的市占率更是高达 70%。
早在 2024 年 Q2 的业绩说明会上，SK 海力士就曾提到其 HBM3E 产品 2024 年的出货量占比将超过整体 HBM 出货量的 50%，2025 年 12 层 HBM3E 的出货量将超过 8 层 HBM3E 产品。
上述数据可以得出结论：8 层和 12 层 HBM3E 是 2025 年 HBM 市场的主流产品，而 SK 海力士又是该产品的主要供应商。
今年 3 月，SK 海力士首席执行官郭鲁正就曾表示该公司 2025 年的 HBM 产品已然售罄。SK 海力士还表示订单能见度可达 2026 年一季度。
作为 HBM 的最主要客户之一，英伟达的 GPU 需求量一定程度上也会影响 HBM 的需求。
上文提到，SK 海力士几乎垄断了英伟达的 HBM 订单，占据了 80%-90% 的份额。而三星的 HBM3E 产品一直未能得到英伟达的验证，其主要客户为 AMD，此外三星为博通提供的 8 层堆叠 HBM3E 产品刚刚完成认证测试。
韩媒 ZDNET Korea 报道称，由于迟迟未得到英伟达的 HBM3E 12Hi 内存供应许可，三星电子已在二季度末将相关产品的晶圆投片量从此前的每月 7~8 万片降低至 3~4 万片。
三星电子为在获得英伟达批准的第一时间就出货 HBM3E 12Hi，从今年一季度末开始大幅提高了 HBM3E 12Hi 的生产规模，但原计划 6 月完成的测试目前看来至少要拖到 9 月，此时降低产能是为了避免库存过多。
此外，由于 HBM3E 到 HBM4 的世代交替将从今年末启动，即使此后顺利得到了英伟达的许可，三星也可能在 HBM3E 12Hi 上保持较低的生产强度。
而 SK 海力士这边，则呈现另一番景象。
近日，美国对英伟达面向中国市场的 AI 芯片 "H20" 的出口管制解除。H20 原本采用 HBM3 内存，但从今年起主要搭载 SK 海力士的 HBM3E 8 层产品。
出口管制一解除，SK 海力士便开始紧锣密鼓的增产。本周，SK 海力士通知英伟达，将有限度地为 H20 供应额外的产能。SK 海力士计划在今年第三季度前完成面向 H20 的 HBM3E 8 层产品量产。
上述一系列结论证明，倘若市场出现供过于求，作为 HBM 龙头企业的SK 海力士或许并不是第一个受到冲击的对象，HBM2 等旧款产品可能最先出现供应过剩，倘若库存消化不及时，三星也有可能先一步陷入窘境。
TrendForce 此前也曾预测，受 AI 平台积极采用新一代 HBM 产品的影响，2025 年超 80% 的 HBM 需求将集中于 HBM3e 产品。其中，12hi 产品占比将超一半，成为下半年 AI 领域主要厂商竞相订购的主流产品，8hi 产品需求次之。
因此，即便出现供过于求的情况，也更可能出现在 HBM2e、HBM3 等旧世代产品上。至于对各 DRAM 供应商的影响程度，则取决于它们各自的产品组合。
因此笔者的观点更倾向于另一所研究机构所言：瑞银表示，随着 AI 对计算的需求继续重塑内存格局，HBM 有望在 2026 年迎来突破性的一年。
尽管短期内存市场存在一些噪音，尤其是围绕英伟达与 SK 海力士、三星和美光科技公司等高带宽内存供应商的谈判，但真正的故事正在酝酿中。
瑞银认为，SK 海力士在英伟达的领导地位将得以维持，而谷歌、AWS 和微软的 ASIC 部门最近赢得的设计胜利表明，SK 海力士将被锁定为该行业主要的 HBM 供应商。即使 HBM 市场竞争预计会加剧，但在 2026 年底之前，这不太可能成为 SK 海力士的严重阻力。
HBM4，2026 年的焦点之一
不能确定的是：HBM 是否会在 2026 年迎来供应过剩。
但可以确定的是：2026 年的对局将不限于 HBM3E。
HBM4 是明年的一大看点。
SK 海力士计划在今年下半年开始量产 HBM4。
三星的 HBM4 产品进程也在近日迎来更新。据悉，三星已准备在本月底前向 AMD 和英伟达等客户提供 HBM4 样品。在此前 HBM3 系列产品研发进程中，三星可谓是连连受挫。因此，三星正铆足力气以期在 HBM4 的竞争中打赢这场翻身仗。
三星将采用 10 纳米级第六代 DRAM 工艺（1c）来开发更精密、良率更高的 HBM4，以改变 SK 海力士在 HBM3E 市场上的独家供应地位。根据此前信息，三星计划在 8 月交付更高堆叠的 HBM4 16Hi 样品。这一系列动作表明，三星正在积极争取在 HBM4 市场中占据一席之地。
今年 6 月，美光宣布已向多家主要客户送样其 12 层堆叠 36GB HBM4 内存。美光在 HBM 领域的布局也显示出其积极追赶三星和 SK 海力士的意图。美光计划在 2026 年实现 HBM4 的产能爬坡，以与客户的下一代 AI 平台量产节奏保持一致。
随着这些存储原厂纷纷推进 HBM4 的研发和生产，预计将会对 AI 芯片存储市场产生重大影响。特别是对于英伟达等 AI 加速器制造商而言，HBM4 的引入意味着更高的性能和效率，同时也可能带来成本上的竞争优势。
《经济日报》援引韩国分析师的话警告称，当下一代 HBM4 在 2025 年上市时，SK 海力士的市场份额可能会萎缩。
具体的竞争情况，还要看各家 HBM4 产品进入量产应用的实际表现。
HBM，未来十年之争
HBM4 的竞争，远远不是终点。
日前韩国科学技术院（KAIST）教授 Joungho Kim 公布了 2025 年到 2040 年 HBM 各代的技术路线图。
HBM5 将于 2029 年到来，KAIST 预计 HBM5 将继续使用微凸块技术 （MR-MUF），尽管据报道该行业已经在考虑与 HBM4 直接键合。此外，HBM5 还将在基础芯片上集成 L3 缓存、LPDDR 和 CXL 接口，以及热监控。KAIST 还预计 AI 工具将在 HBM5 一代开始在优化物理布局和减少抖动方面发挥作用。
HBM6 将于 2032 年到来，其将采用主动 / 混合（硅 + 玻璃）中介层技术，最大堆叠层数从 HBM5 的 16 层增至 20 层，单堆容量可达 96-120 GB。
HBM7 将于 2035 年到来，其将支持最高 24 层堆叠，容量达 160-192 GB，带宽 24 TBps，是 HBM6 的三倍。
HBM8 将于 2038 年到来，其同样支持 24 层堆叠，带宽提升至 64 TBps，容量增至 200-240 GB。HBM8 的亮点是可能采用双面中介层设计，一面安装 HBM，另一面可安装 HBM、LPDDR 内存或 HBF（高带宽闪存）。
从 HBM4 到 HBM8，内存技术正经历由"高速存储"向"内存即计算"的深刻转变，3D 集成、热管理、AI 辅助设计与异构互联正在共同构建新一代高性能系统的核心内存平台，HBM 的发展还将进一步走向与光互联、片上网络（NoC）、存算融合等前沿技术的结合。
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